IT之家 2 月 23 日讯息，英特尔昨天更新了其半导体尔 Foundry 关联页面的先容，并布告其“四年五个节点”谋略中终末亦然最为蹙迫的 Intel 18A 工艺已准备就绪，谋略于本年上半年运行流片。
18A 制程的熟习标识着英特尔 IDM 2.0 计谋的首要蹂躏，同期被视为英特尔代工工作（IFS）重铸夙昔荣光的要津信号，关于仍是退休的英特尔前 CEO Pat Gelsinger 来说都备是好讯息。
就当今已知信息，英特尔下一代挪动管制器 Panther Lake 至少有一部分将基于 Intel 18A 工艺制造。
英特尔默示，Panther Lake 芯片谋略于本年下半年发布并投产，不外 Intel 18A 初期产能有限，是以搭载该芯片的条记本电脑瞻望要比及 2026 年才会多数目上市。
此外，英特尔将于 2026 年推出下一代 Nova Lake 桌面管制器。这两款居品承载了英特尔修起的但愿，英特尔以为它们的到来将显赫改善该公司的收入情况。
英特尔还谋略在来岁上半年推出的首款基于 Intel 18A 的工作器居品 Clearwater Forest（率先谋略 2025 年发布）。英特尔默示，本年的主题是提高“至强”的商场竞争地位，从而死力收缩与竞争敌手的差距。
说回 Intel 18A 工艺，英特尔称其接收了业界草创的 PowerVia 后面供电本领，炒汇以及 RibbonFET 全环绕栅极（GAA）晶体管本领，相较于 Intel 3 工艺密度莳植 30%、单元功耗性能莳植 15%。
据行业分析，其 SRAM 密度已与台积电 N2 制程合手平，致使在功耗和性能均衡把控方面更具竞争上风。
IT之家从官方获悉，PowerVia 后面供电本领通过将供电层与信号层差别，杀青芯片密度和单元诓骗率莳植 5%-10%。比较传统正面供电缱绻，其电阻压降（IR Drop）显赫缩短，在讨论功耗条款下可杀青最高 4% 的性能莳植。
RibbonFET 全环绕栅极晶体管本领接收纳米带（Nanoribbon）结构，杀青对电流的精准收尾，可在芯片元件微缩化程度中灵验缩短走电率，灵验缓解高密度芯片的功耗问题。
英特尔默示，Intel 18A 本领动作 IFS 的中枢竞争力，凭借多项蹂躏性改换，将成为北好意思地区首个量产落地的 2nm 以下先进制程节点，为专家客户提供供应链多元化选用。